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5443853Immagine 1N3891.GeneSiC Semiconductor

1N3891

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N3891
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.1N3891.pdf
    2.1N3891.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.4V @ 12A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-4
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    200ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    1242-1204
    1N3891GN
    1N3891GN-ND
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    12A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
    1N3891

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: FAST RECOVERY RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: FAST RECOVERY RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
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1N3892

Descrizione: FAST RECOVERY RECTIFIER

Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: FAST RECOVERY RECTIFIER

Produttori: Microsemi
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Descrizione: FAST RECOVERY RECTIFIER

Produttori: Microsemi
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