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5824064Immagine 1N8024-GA.GeneSiC Semiconductor

1N8024-GA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N8024-GA
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N8024-GA.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.74V @ 750mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-257
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-257-3
  • Altri nomi
    1242-1111
    1N8024GA
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 250°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 750mA Through Hole TO-257
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 1200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    750mA
  • Capacità a Vr, F
    66pF @ 1V, 1MHz
  • Numero di parte base
    1N8024

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Pagamento
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