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Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > 1N8165US
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Italia
Italia
2076576

1N8165US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N8165US
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 33V 53.6V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    33V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    53.6V
  • Tensione - ripartizione (min)
    37.1V
  • Canali Unidirezionali
    1
  • Digitare
    Zener
  • Serie
    -
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    150W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, A
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    2.8A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • applicazioni
    General Purpose
1N8034-GA

1N8034-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N8028-GA

1N8028-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N8182

1N8182

Descrizione: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N821UR-1

1N821UR-1

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N8033-GA

1N8033-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N8026-GA

1N8026-GA

Descrizione: DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N821A

1N821A

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N8030-GA

1N8030-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N8149

1N8149

Descrizione: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N821-1

1N821-1

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N821AUR

1N821AUR

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N8024-GA

1N8024-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N8035-GA

1N8035-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N821

1N821

Descrizione: DIODE ZENER DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N8031-GA

1N8031-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N8032-GA

1N8032-GA

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
1N822

1N822

Descrizione: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino

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