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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-matrici > MURF10010R
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Italia
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2206011

MURF10010R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MURF10010R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 100V 100A TO244
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MURF10010R.pdf
    2.MURF10010R.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 50A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-244
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-244AB
  • Altri nomi
    MURF10010RGN
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Anode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount TO-244AB
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    100A (DC)

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