Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-matrici > MURT10010
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
3285504Immagine MURT10010.GeneSiC Semiconductor

MURT10010

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
50+
$59.119
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    MURT10010
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MURT10010.pdf
    2.MURT10010.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 50A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Three Tower
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Three Tower
  • Altri nomi
    MURT10010GN
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    100A (DC)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "MURT10010".
MURT10040

MURT10040

Descrizione: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT20010

MURT20010

Descrizione: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURS360T3G

MURS360T3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10005

MURT10005

Descrizione: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10020

MURT10020

Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURS360SHE3/5BT

MURS360SHE3/5BT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
MURS480ET3G

MURS480ET3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10020R

MURT10020R

Descrizione: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT20005R

MURT20005R

Descrizione: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10005R

MURT10005R

Descrizione: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10010R

MURT10010R

Descrizione: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURS3GB-TP

MURS3GB-TP

Descrizione: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
MURT20005

MURT20005

Descrizione: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURS360SHE3_A/I

MURS360SHE3_A/I

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
MURS3G-TP

MURS3G-TP

Descrizione: 3A,400V, SUPER FAST RECOVERY REC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
MURS360SHE3_A/H

MURS360SHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
MURT10060R

MURT10060R

Descrizione: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURS3JB-TP

MURS3JB-TP

Descrizione: 3A,600V, SUPER FAST RECOVERY REC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
MURT10060

MURT10060

Descrizione: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
MURT10040R

MURT10040R

Descrizione: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.