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222184Immagine MURT20005R.GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MURT20005R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MURT20005R.pdf
    2.MURT20005R.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    50V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Three Tower
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Three Tower
  • Altri nomi
    MURT20005RGN
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Anode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200A (DC)

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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