Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GP1M003A050CG
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
503467

GP1M003A050CG

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP1M003A050CG
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP1M003A050CG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    52W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    395pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024

La scheda grafica Nvidia RTX 5090 ha un'area GPU di 744...

25/11/2024

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "GP1M003A050CG".
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Descrizione: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1L57

GP1L57

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Descrizione: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Descrizione: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Descrizione: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Descrizione: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Descrizione: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Descrizione: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.