Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GP1M016A060H
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1026489Immagine GP1M016A060H.Global Power Technologies Group

GP1M016A060H

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP1M016A060H
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 16A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP1M016A060H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    470 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    290W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    1560-1187-1
    1560-1187-1-ND
    1560-1187-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3039pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 16A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "GP1M016A060H".
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M013A050H

GP1M013A050H

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A060FH

GP1M016A060FH

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A025HG

GP1M016A025HG

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 16A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A025PG

GP1M016A025PG

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M015A050FH

GP1M015A050FH

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A060F

GP1M016A060F

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A060N

GP1M016A060N

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1M016A025CG

GP1M016A025CG

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Descrizione: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.