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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GP2M013A050F
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2874942Immagine GP2M013A050F.Global Power Technologies Group

GP2M013A050F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP2M013A050F
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    480 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    52W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    1560-1212-1
    1560-1212-1-ND
    1560-1212-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1798pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 13A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    13A (Tc)
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2S24

GP2S24

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino

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