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3754210Immagine GP2M012A060F.Global Power Technologies Group

GP2M012A060F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP2M012A060F
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP2M012A060F.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    53.4W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • Altri nomi
    1560-1210-1
    1560-1210-1-ND
    1560-1210-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 12A (Tc) 53.4W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2S24ABJ00F

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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP2M010A060H

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M008A060PGH

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M020A050N

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M011A090NG

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M020A060N

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2S24

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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Produttori: Sharp Microelectronics
In magazzino
RFQ
GP2M020A050F

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M008A060HG

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M008A060PG

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M023A050N

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M010A065H

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M010A065F

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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M010A060F

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M012A080NG

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GP2M009A090FG

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M013A050F

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
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GP2M012A060H

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Produttori: Global Power Technologies Group
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GP2M009A090NG

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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
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