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2268287Immagine GPA040A120L-ND.Global Power Technologies Group

GPA040A120L-ND

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GPA040A120L-ND
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 80A 455W TO264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GPA040A120L-ND.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.8V @ 15V, 40A
  • Condizione di test
    600V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    41ns/200ns
  • di scambio energetico
    5.8mJ (on), 1.5mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    220ns
  • Potenza - Max
    455W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • Altri nomi
    1560-1223-1
    1560-1223-1-ND
    1560-1223-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT and Trench
  • carica gate
    510nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT and Trench 1200V 80A 455W Through Hole TO-264
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    120A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80A

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Spedizione
Pagamento
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GPA020A120MN-FD

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Descrizione: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA040A120MN-FD

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Descrizione: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

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Descrizione: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Produttori: Bergquist
In magazzino
RFQ
GPA802 C0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
GPA030A135MN-FDR

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Descrizione: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA802HC0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
GPA801HC0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
GPA025A120MN-ND

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Descrizione: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA040A120L-FD

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Descrizione: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA801 C0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
GPA042A100L-ND

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Descrizione: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA020A135MN-FD

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Descrizione: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA801DT-TP

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Descrizione: DIODE GPP 8A D2PAK

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
GPA802-BP

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Descrizione: DIODE GPP 8A TO220AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
GPA060A060MN-FD

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Descrizione: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA030A120I-FD

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Descrizione: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA030A120MN-FD

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Descrizione: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA015A120MN-ND

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Descrizione: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

Produttori: Global Power Technologies Group
In magazzino
RFQ
GPA802DT-TP

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Descrizione: DIODE GPP 8A D2PAK

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
GPA801-BP

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Descrizione: DIODE GPP 8A TO220AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
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