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6267069Immagine 70P3519S200BCG8.IDT (Integrated Device Technology)

70P3519S200BCG8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70P3519S200BCG8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.70P3519S200BCG8.pdf
    2.70P3519S200BCG8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    256-CABGA (17x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    256-LBGA
  • Altri nomi
    IDT70P3519S200BCG8
    IDT70P3519S200BCG8-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    IDT70P3519
  • Tempo di accesso
    3.4ns

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