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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70T659S12BFI
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990764Immagine 70T659S12BFI.IDT (Integrated Device Technology)

70T659S12BFI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70T659S12BFI
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    70T659S12BFI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-CABGA (15x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    208-LFBGA
  • Altri nomi
    IDT70T659S12BFI
    IDT70T659S12BFI-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
  • Numero di parte base
    IDT70T659
  • Tempo di accesso
    12ns

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Pagamento
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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