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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 7164L35TDB
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7164L35TDB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    7164L35TDB
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 64K PARALLEL 28CDIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1.7164L35TDB.pdf
    2.7164L35TDB.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    35ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    28-CDIP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Altri nomi
    IDT7164L35TDB
    IDT7164L35TDB-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 35ns 28-CDIP
  • Tempo di accesso
    35ns

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