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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 71V124SA10TYG

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Immagine 71V124SA10TYG.

IDT (Integrated Device Technology)

71V124SA10TYG

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345+

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Specifiche

Modello di prodotti

71V124SA10TYG
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

71V124SA10TYG.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

10ns
Tensione di alimentazione -

3.15 V ~ 3.6 V
Tecnologia

SRAM - Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore

32-SOJ
Serie

-
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Altri nomi

IDT71V124SA10TYG
IDT71V124SA10TYG-ND
temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ
Numero di parte base

IDT71V124
Tempo di accesso

10ns

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