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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 71V124SA12TYG
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3113662Immagine 71V124SA12TYG.IDT (Integrated Device Technology)

71V124SA12TYG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    71V124SA12TYG
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    71V124SA12TYG.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    32-SOJ
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
  • Altri nomi
    800-2131
    IDT71V124SA12TYG
    IDT71V124SA12TYG-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 12ns 32-SOJ
  • Numero di parte base
    IDT71V124
  • Tempo di accesso
    12ns

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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA15PHG

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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71V124SA12YG8

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II

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71V124SA12TYGI

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