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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 71V416L12YG8

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Immagine 71V416L12YG8.

IDT (Integrated Device Technology)

71V416L12YG8

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500+

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Specifiche

Modello di prodotti

71V416L12YG8
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

71V416L12YG8.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

12ns
Tensione di alimentazione -

3 V ~ 3.6 V
Tecnologia

SRAM - Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore

44-SOJ
Serie

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Altri nomi

IDT71V416L12YG8
IDT71V416L12YG8-ND
temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
Numero di parte base

IDT71V416
Tempo di accesso

12ns

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