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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IDT70P3517S233RM
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5348091Immagine IDT70P3517S233RM.IDT (Integrated Device Technology)

IDT70P3517S233RM

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IDT70P3517S233RM
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IDT70P3517S233RM.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    576-FCBGA (25x25)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    576-BBGA, FCBGA
  • Altri nomi
    70P3517S233RM
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 233MHz 7.2ns 576-FCBGA (25x25)
  • Frequenza dell'orologio
    233MHz
  • Numero di parte base
    IDT70P3517
  • Tempo di accesso
    7.2ns

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