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5007239Immagine IS42VM16400M-75BLI-TR.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42VM16400M-75BLI-TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS42VM16400M-75BLI-TR
  • Costruttore / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IS42VM16400M-75BLI-TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    54-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA (8x8)
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Tempo di accesso
    6ns

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42VM16400M-6BLI

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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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