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3761659Immagine IS43R83200B-6TL.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43R83200B-6TL

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS43R83200B-6TL
  • Costruttore / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.IS43R83200B-6TL.pdf
    2.IS43R83200B-6TL.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (32M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    700ps

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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