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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IS45S16160J-6TLA1

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Immagine IS45S16160J-6TLA1.

ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS45S16160J-6TLA1

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Specifiche

Modello di prodotti

IS45S16160J-6TLA1
Costruttore / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IS45S16160J-6TLA1.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

-
Tensione di alimentazione -

3 V ~ 3.6 V
Tecnologia

SDRAM
Contenitore dispositivo fornitore

54-TSOP II
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Frequenza dell'orologio

166MHz
Tempo di accesso

5.4ns

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