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IS61NLP51218A-200TQLI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS61NLP51218A-200TQLI
  • Costruttore / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.IS61NLP51218A-200TQLI.pdf
    2.IS61NLP51218A-200TQLI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    100-TQFP (14x20)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    100-LQFP
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (512K x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Tempo di accesso
    3.1ns

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