IXFN120N20

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFN120N20
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFN120N20.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

17 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

600W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 200V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation

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