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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN110N85X
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1803891Immagine IXFN110N85X.IXYS Corporation

IXFN110N85X

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFN110N85X
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXFN110N85X.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    33 mOhm @ 55A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1170W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    17000pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    425nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    850V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 850V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

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