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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN21N100Q

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Immagine IXFN21N100Q.

IXYS Corporation

IXFN21N100Q

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFN21N100Q
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFN21N100Q.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

500 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

520W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5900pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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