IXFN360N10T

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFN360N10T
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFN360N10T.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227B
Serie

HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

2.6 mOhm @ 180A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

830W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

36000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

505nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

360A (Tc)

Notizie correlate
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IXFN38N80Q2

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation

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