IXFN36N110P

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFN36N110P
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFN36N110P.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

SOT-227B
Serie

Polar™
Rds On (max) a Id, Vgs

240 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1000W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1100V 36A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Notizie correlate
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IXFN36N60

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation

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