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3763726Immagine IXFN50N120SK.IXYS Corporation

IXFN50N120SK

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFN50N120SK
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    IXFN50N120SK.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.8V @ 10mA
  • Vgs (Max)
    +20V, -5V
  • Tecnologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    52 mOhm @ 40A, 20V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1895pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

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