IXFP30N60X

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFP30N60X
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFP30N60X.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

155 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2270pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Notizie correlate
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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220

Produttori: IXYS Corporation

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