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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFP34N65X2M
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3512661Immagine IXFP34N65X2M.IXYS Corporation

IXFP34N65X2M

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFP34N65X2M
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    IXFP34N65X2M.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220 Isolated Tab
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 17A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    40W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3230pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: MOSFET N-CH 650V 34A TO-220

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Descrizione: FET N-CHANNEL

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