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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA110N055T7
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782216Immagine IXTA110N055T7.IXYS Corporation

IXTA110N055T7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTA110N055T7
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTA110N055T7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-263-7 (IXTA..7)
  • Serie
    TrenchMV™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    230W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    55V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 55V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA..7)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

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