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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTA110N055P

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Immagine IXTA110N055P.

IXYS Corporation

IXTA110N055P

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Specifiche

Modello di prodotti

IXTA110N055P
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXTA110N055P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)
Serie

PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs

13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

390W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

76nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

55V
Descrizione dettagliata

N-Channel 55V 110A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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