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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTB30N100L
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5533322Immagine IXTB30N100L.IXYS Corporation

IXTB30N100L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTB30N100L
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTB30N100L.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PLUS264™
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    450 mOhm @ 500mA, 20V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    13200pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    545nC @ 20V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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Pagamento
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Descrizione: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220

Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220

Produttori: IXYS Corporation
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