Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTN21N100
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
5927323Immagine IXTN21N100.IXYS Corporation

IXTN21N100

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
10+
$32.69
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTN21N100
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTN21N100.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.5V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    MegaMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    550 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    520W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    8400pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    250nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "IXTN21N100".
IXTN17N120L

IXTN17N120L

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN240N075L2

IXTN240N075L2

Descrizione: MOSFET N-CH

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN36N50

IXTN36N50

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN40P50P

IXTN40P50P

Descrizione: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN320N10T

IXTN320N10T

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN170P10P

IXTN170P10P

Descrizione: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTM9226

IXTM9226

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN30N100L

IXTN30N100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN32P60P

IXTN32P60P

Descrizione: MOSFET P-CH 600V 32A SOT227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN120P20T

IXTN120P20T

Descrizione: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN120N25

IXTN120N25

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN46N50L

IXTN46N50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

Descrizione: MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN200N10T

IXTN200N10T

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN22N100L

IXTN22N100L

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN5N250

IXTN5N250

Descrizione: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXTN210P10T

IXTN210P10T

Descrizione: MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.