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1326653Immagine IXTN32P60P.IXYS Corporation

IXTN32P60P

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTN32P60P
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 600V 32A SOT227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTN32P60P.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    PolarP™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    350 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    890W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11100pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    196nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 600V 32A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

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