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1265851Immagine IXTT10N100D.IXYS Corporation

IXTT10N100D

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTT10N100D
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTT10N100D.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-268
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 10A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    400W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2500pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Depletion Mode
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 10A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

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