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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTT10P60

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Immagine IXTT10P60.

IXYS Corporation

IXTT10P60

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Specifiche

Modello di prodotti

IXTT10P60
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXTT10P60.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-268
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

P-Channel 600V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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