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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > IXYK200N65B3
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Italia
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2337326Immagine IXYK200N65B3.IXYS Corporation

IXYK200N65B3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXYK200N65B3
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    IXYK200N65B3.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.7V @ 15V, 100A
  • Condizione di test
    400V, 100A, 0 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    60ns/370ns
  • di scambio energetico
    5mJ (on), 4mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264
  • Serie
    XPT™, GenX3™
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    108ns
  • Potenza - Max
    1560W
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    26 Weeks
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    340nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 650V 410A 1560W Through Hole TO-264
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    1100A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    410A

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Spedizione
Pagamento
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