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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > MKI50-12F7
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MKI50-12F7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MKI50-12F7
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MKI50-12F7.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.8V @ 15V, 50A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    E2
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    350W
  • Contenitore / involucro
    E2
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    3.3nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 65A 350W Chassis Mount E2
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    700µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    65A
  • Configurazione
    Full Bridge Inverter
  • Numero di parte base
    MKI

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