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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > MMIX2F60N50P3
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MMIX2F60N50P3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MMIX2F60N50P3
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    MMIX2F60N50P3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 4mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    24-SMPD
  • Serie
    HiPerFET™, Polar3™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 30A, 10V
  • Potenza - Max
    320W
  • Contenitore / involucro
    24-SMD Module, 9 Leads
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6250pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 30A (Tc) 320W Surface Mount 24-SMPD
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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