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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > VMO580-02F
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7053279Immagine VMO580-02F.IXYS Corporation

VMO580-02F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    VMO580-02F
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    VMO580-02F.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 50mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Y3-Li
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 430A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Y3-Li
  • Altri nomi
    Q1221985A
    VMO58002F
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    2750nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    580A (Tc)
  • Numero di parte base
    VMO

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Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
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