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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX24N100F

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Immagine IXFX24N100F.

IXYS RF

IXFX24N100F

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFX24N100F
Costruttore / Marca

IXYS RF
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFX24N100F.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PLUS247™-3
Serie

HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs

390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

560W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1000V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1000V 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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