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829250Immagine BSC010NE2LSIATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC010NE2LSIATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSC010NE2LSIATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSC010NE2LSIATMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.05 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    BSC010NE2LSI
    BSC010NE2LSI-ND
    BSC010NE2LSIATMA1TR
    BSC010NE2LSITR-ND
    SP000854376
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4200pF @ 12V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    59nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    25V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 25V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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