International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC014N04LSTATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC014N04LSTATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIFFERENTIATED MOSFETS
Stato Lead senza piombo / RoHS

A norma RoHS
Specifiche

BSC014N04LSTATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8 FL
Serie

OptiMOS™
Stato RoHS

RoHS Compliant
Rds On (max) a Id, Vgs

1.4 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

3W (Ta), 115W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSC014N04LSTATMA1-ND
BSC014N04LSTATMA1TR
SP001657070
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6020pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

40V
Descrizione dettagliata

N-Channel 40V 33A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta), 100A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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BSC016N03LSGATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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