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4177426Immagine BSC037N08NS5ATMA1.Infineon Technologies

BSC037N08NS5ATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSC037N08NS5ATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSC037N08NS5ATMA1.pdf
  • Tensione - Prova
    4200pF @ 40V
  • Tensione - Ripartizione
    PG-TDSON-8
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (Max)
    6V, 10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    OptiMOS™
  • Stato RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100A (Tc)
  • Polarizzazione
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    BSC037N08NS5ATMA1CT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    BSC037N08NS5ATMA1
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    58nC @ 10V
  • Tipo IGBT
    ±20V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    3.8V @ 72µA
  • Caratteristica FET
    N-Channel
  • Descrizione espansione
    N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Tensione drain-source (Vdss)
    -
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80V
  • rapporto di capacità
    2.5W (Ta), 114W (Tc)

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