International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC040N08NS5ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC040N08NS5ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSC040N08NS5ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

3.8V @ 67µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

4 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSC040N08NS5ATMA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

80V
Descrizione dettagliata

N-Channel 80V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Notizie correlate
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BSC039N06NSATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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