International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC072N03LDGATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC072N03LDGATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSC072N03LDGATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8 Dual
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

7.2 mOhm @ 20A, 10V
Potenza - Max

57W
imballaggio

Original-Reel®
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

BSC072N03LD GDKR
BSC072N03LD GDKR-ND
BSC072N03LDGATMA1DKR
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET

Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

11.5A
Numero di parte base

BSC072N03

Notizie correlate
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BSC072N08NS5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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