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BSC093N04LSGATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC093N04LSGATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSC093N04LSGATMA1.pdf
Modello ECAD
Tensione - Prova

1900pF @ 20V
Tensione - Ripartizione

PG-TDSON-8
Vgs (th) (max) a Id

9.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

OptiMOS™
Stato RoHS

Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs

13A (Ta), 49A (Tc)
Polarizzazione

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

16 Weeks
codice articolo del costruttore

BSC093N04LSGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

24nC @ 10V
Tipo IGBT

±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

2V @ 14µA
Caratteristica FET

N-Channel
Descrizione espansione

N-Channel 40V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione drain-source (Vdss)

-
Descrizione

MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

40V
rapporto di capacità

2.5W (Ta), 35W (Tc)

Notizie correlate
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BSC097N06NSTATMA1

Descrizione: DIFFERENTIATED MOSFETS

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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