International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC093N15NS5ATMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC093N15NS5ATMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSC093N15NS5ATMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.6V @ 107µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

9.3 mOhm @ 44A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

139W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSC093N15NS5ATMA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3230pF @ 75V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

40.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)

150V
Descrizione dettagliata

N-Channel 150V 87A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

87A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "BSC093N15NS5ATMA1".

BSC098N10NS5ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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