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2996260Immagine BSC750N10NDGATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC750N10NDGATMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSC750N10NDGATMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.BSC750N10NDGATMA1.pdf
    2.BSC750N10NDGATMA1.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 12µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PG-TDSON-8 Dual
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    75 mOhm @ 13A, 10V
  • Potenza - Max
    26W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    BSC750N10ND G
    BSC750N10ND G-ND
    BSC750N10ND GTR
    BSC750N10ND GTR-ND
    BSC750N10NDG
    BSC750N10NDGATMA1TR
    SP000359610
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    720pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.2A
  • Numero di parte base
    BSC750N10

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